BSP322P L6327 全国供应商、价格、PDF资料
BSP322P L6327详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫欧 @ 1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 380µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：372pF @ 25V
- 功率_最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：PG-SOT223-4
- 包装：带卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） BACKPLANE 10 SLOT CPU
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 25V 5% X7R 0805
- 逻辑 - 专用逻辑 Texas Instruments 160-BGA IC REGSTR BUFF 28-56BIT 160NFBGA
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC GATE NOR SGL 2INP 6-XSON
- FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 评估演示板和套件 Texas Instruments EVAL MOD FOR BQ24010
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.012UF 16V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 16V 20% X5R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805（2012 公制） BACKPLANE I/O EXPANSION 3 SLOT
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors SC-74A，SOT-753 IC GATE NOR SGL 2INPUT 5TSOP
- 逻辑 - 专用逻辑 Texas Instruments 160-TFBGA IC REGISTERED BUFFER 160-TFBGA
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.012UF 16V 10% X7R 0603
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 10-VFDFN 裸露焊盘 IC LI-ON LINEAR CHRG MGMT 10-SON
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 10-VFDFN 裸露焊盘 BACKPLANE I/O EXPANSION 3 SLOT
- 陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 16V 20% X5R 0805
0755-22655674 
0755-82710336 
010-62962871、 
13528893675/1 
010-62962871、 
13910052844（微 
0755-82865294 
